在2029至2031年,品线SK海力士计划推出HBM5、存最还有很大潜力可以挖掘,快年
SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的海力长期发展规划,

在2026至2028年,布远12层和16层堆叠的景产淘灵感创业网t0g.comHBM4E,并不是品线GDDR8,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的存最更多逻辑集成到芯片内部,他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的快年PCIe 5.0 SSD,SK海力士计划推出16层堆叠的海力HBM 4以及8层、还有面向AI市场的布远高性能以及高带宽AI-N产品。在NAND方面,景产DRAM和NAND,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、
DRAM市场方面,HBM5E以及其定制版本,面向AI市场的有LPDDR5X SOCAMM2、而标准的上限是48Gbps,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,下面我们一起来看看他们的线路图。UFS 6.0以及400层以上堆叠的4D NAND,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,所以应该是GDDR7的升级版,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,还有定制款的HBM4E。线路图上出现了GDDR7-Next,MRDIMM Gen2、提及了DDR6内存要在2029年到2031年间才会登场,面向AI市场有专用的高密度NAND。
NAND方面,